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  • Oversea Patents
< 등록 >  

#
발명명칭
국가
등록번호
등록일자
4
p형 산화 아연 나노와이어의 제조방법
미국
US 8,778,731 B2
2014.07.15
3
비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법
미국
8,749,023
2014.06.10
2
ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
유럽특허청
1905086
2013.01.16
1
반금속성 자성체 산화물 제조방법
미국
6,802,949
2004.10.15

< 출원 >  

#

발명명칭

국가

출원번호

출원일자

17

p-MTJ 소자 개발을 위한 Boron-free 강자성체용 nitrogen-based seed layer 소재

PCT

PCT/KR2015/004332

2015.04.29

16

고온의 열적 안정성을 위한 수직자기이방성 소재용 금속 계열 씨앗층 소재

PCT

PCT/KR2015/001000

2015.01.29

15

비휘발성 메모리용 선택 소자 및 이의 제조 방법

PCT

PCT/KR2014/002423

2014.03.21

14

자체 스위칭 변화를 가지는 산화물 p-n 다이오드 구조 형 1D 저항 변화 메모리소자 및 제작방법

미국

13/881,584

2013.04.25

13

p형 산화 아연 나노와이어의 제조방법

미국

13/667,668

2012.11.02

12

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법

미국

13/318,024

2011.10.28

11

자체 스위칭 변화를 가지는 산화물 p-n 다이오드 구조 형 1D 저항 변화 메모리소자 및 제작방법

PCT

PCT/KR2011/007978

2011.10.25

10

Non-Contact micro tip 구조를 이용한 AC-LED 소자 및 모듈 개발

PCT

PCT/KR10/07038

2010.10.14

9

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법

PCT

PCT/KR10/02153

2010.04.08

8

ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법

유럽특허청

06769167.5

2008.01.31

7

ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법

일본

2008-520178

2008.01.04

6

ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법

미국

11/994,551

2008.01.03

5

ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법

PCT

PCT/KR2006/002610

2006.07.04

4

반금속성 자성체 산화물 제조방법

미국

10/269,865

2002.10.15

3

플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 제조방법

영국

0222536.5

2002.09.30

2

플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 제조방법

일본

2002-280337

2002.09.26

1

플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 제조방법

미국

10/252,531

2002.09.24

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