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  • Domestic Patents

< 등록 > 

#

발명명칭

등록번호

등록일자

  <2015>

22

MTJ 구조의 후 열처리 열적 안정성 향상을 위한 방법  

10-1537469

2015.07.10

21

Co 및 Fe 계열 수직자기이방성 다층구조 박막에 있어서 산화 결합을 통한 열적 안정성
개선 방법

10-1537449

2015.07.10

  <2014>

20

MTJ 구조에서 열적 안정성과 자기저항변화비 특성 향상 방법  

10-1476932

2014.12.19

19

산화물박막트랜지스터소자의전기적특성향상을위하여금속을이용한표면처리방법

10-1437779

2014.08.28

18

다중 저항상태를 갖는 저항변화 메모리

10-1434786

2014.08.20

  <2013>

17

다이오드의 선택소자가 필요 없는 3층 저항변화 메모리 및 이의 제조 방법

1285903

2013.07.08

16

산화물/질화물계 강자성 다층박막, 자성소자 및 산화물/질화물계 강자성 다층박막의 제조방법

1240806

2013.02.28

  <2012>

15

버퍼층이 삽입된 비휘발성 저항변화 메모리소자 및 제작방법

10-1152437

2012.05.25

14

ZnO 물질기반의 single-layer step-edge junction을 이용한 LED 소자개발

10-1133412

2012.03.28

13

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법

10-1105981

2012.01.06

12

금속 양자점 제조방법과 이를 이용한 비 휘활성 메모리 소자 제작방법

1105456

2012.01.05

  <2011>

11

저항성 메모리 장치

10-1046725

2011.06.29

10

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 이온 임플란테이션 산화물 박막 제조방법

10-1039191

2011.05.30

  <2007>

9

ReRAM 소자 및 그 제조방법

0785509

2007.12.06

8

고정밀 정전용량형 습도센서 제조방법

0727674

2007.06.05

7

플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법

0694316

2007.03.06

  <2006>

6

반도체 소자 및 그 제조방법

0636796

2006.10.13

5

질화물계 비정질 연자성 박막, 자성소자 및 질화물계비정질 연자성 박막의 제조방법

0631024

2006.09.26

4

ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법

0622268

2006.09.02

3

탄소나노튜브의 제조방법

0590828

2006.06.09

2

반금속성 자성체 산화물 제조방법

0549858

2006.01.31

  <2005>

1

양자점 형성방법

0526828

2005.10.31

< 출원 >  

#

발명명칭

출원번호

출원일자

  <2015>

60

열적 안정성을 위한 수직자기이방성 자성 박막에 있어서의 선택적 확산방지층의 삽입 소재 혹은 MTJ 및 STT-MRAM 소자

10-2015-0012593

2015.01.27

59

고온의 열적 안정성을 위한 수직자기이방성 소재용 금속 계열 씨앗층 소재

10-2015-0012602

2015.01.27

58

반강자성체 고정층 구조에 있어서 열처리 안정성 증가를 위한 금속 기반 capping layer 및 다층구조를 이용한 MTJ 및 STT-MRAM 소자

10-2015-0008602

2015.01.19

  <2014>

57

산화물 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성 향상을 위하여 크립 톤 가스를 통한 증착방법

10-2014-0169480

2014.12.01

56

금속 질화물 소재를 이용한  저항변화 메모리 소자 및 제조 방법

10-2014-0145927

2014.10.27

55

선택소자가 필요 없는 3차원 나노 크로바-포인트 수직 다층 구조 저항변화 메모리 소자의 제작 방법

10-2014-0145928

2014.10.27

54

양방향 스위칭 특성을 가지는 산화물 반도체 소재 및 다층 구조를 이용한 선택소자 및 이의 제조 방법

10-2014-0145926

2014.10.27

53

리드 margin (window)증대를 위한 다층구조를 삽입을 통한 저항변화 메모리 소자의
제작 방법

10-2014-0124584

2014.09.18

52

직물 기판을 이용한 마찰전기 기반의 웨어러블 자가 발전 소자 

10-2014-0113132

2014.08.28

51

반강자성체 고정층 구조에 있어서 열처리 안정성 증가를 위한 새로운 산화물 소재 및 다층구조를 이용한 MTJ 및 STT-MRAM 소자

10-2014-0088891

2014.07.15

50

p-MTJ 소자 개발을 위한 Boron-free 강자성체용 질화물 소재  

10-2014-0063914

2014.05.27

49

비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자

10-2014-0028889

2014.03.12

48

고온의 열적 안정성을 위한 수직자기이방성 소재용 금속 계열 씨앗층 소재

10-2014-0015384

2014.02.11

47

MTJ 구조의 후 열처리 열적 안정성 향상을 위한 방법

10-2014-0009579

2014.01.27

46

MTJ 구조의 후 열처리 열적 안정성 향상을 위한 방법

10-2014-0009576

2014.01.27

  <2013>

45

비휘발성메모리소자의 향상을 위한 다층산화물 박박구조 및 제조방법

10-2013-0158550

2013.12.18

44

산화물 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성 향상을 위하여 비활성 가스를 통한 증착방법

10-2013-0147005

2013.11.29

43

MTJ 구조에서 열적 안정성과 자기저항변화비 특성 향상 방법  

10-2013-0141458

2013.11.20

42

Co 및 Fe 계열 수직자기이방성 다층구조 박막에 있어서 산화 결합을 통한 열적 안정성
개선 방법

10-2013-0120702

2013.10.10

41

수직자기이방성을 갖는 CoFeB 박막에 있어서의 열적안정성 개선을 위한 금속기반 삽입층 소재

10-2013-0120728

2013.10.10

40

나노와이어 기반의 마찰전기를 이용한 에너지 하베스팅 소자

10-2013-0102499

2013.08.28

39

MTJ 구조에서 열적 안정성과 자기저항변화비 특성 향상 방법(멀티레이어)

2013-0083813

2013.07.16

38

산화물 접합 MTJ구조에서 열적 안정성과 자기저항 변화 비 특성 향상

2013-0083805

2013.07.16

37

산화물박막트랜지스터소자의전기적특성향상을위하여금속을이용한표면처리방법

10-2013-0052407

2013.05.09

36

다중 저항상태를 갖는 저항변화 메모리

10-2013-0032573

2013.03.27

35

비휘발성 메모리용 선택 소자 및 이의 제조 방법

2013-0030110

2013.03.21

34

비휘발성 메모리용 선택 소자 및 이의 제조 방법

2013-0030113

2013.03.21

  <2012>

33

자체 선택특성을 가지는 고안정성의 저항변화 메모리

2012-0140931

2012.12.06

32

p형 산화 아연 나노와이어의 제조방법

2012-0119305

2012.10.25

  <2011>

31

산화물/질화물계 강자성 다층박막, 자성소자 및 산화물/질화물계 강자성 다층박막의
제조방법

2011-0140562

2011.12.22

30

p형 산화 아연 나노와이어의 제조방법

2011-0114130

2011.11.03

29

다이오드의 선택소자가 필요 없는 3층 저항변화 메모리 및 이의 제조 방법

2011-0097548

2011.09.27

  <2010>

28

다이오드 구조의 저항변화 메모리 소자에서 산화물과 전극의 오믹 접합특성 및 제작방법

10-2010-0132928

2010.12.22

27

다이오드의 선택소자가 필요 없는 3층 저항변화 메모리 및 이의 제조 방법

2010-0120842

2010.11.30

26

자체 스위칭 변화를 가지는 산화물 p-n 다이오드 구조 형 1D 저항 변화 메모리소자 및
제작방법

2010-0104600

2010.10.26

25

버퍼층이 삽입된 비휘발성 저항변화 메모리소자 및 제작방법

2010-0085548

2010.09.01

24

p형 Zn산화물 나노 와이어의 제조 방법 및 p형 Zn산화물을 포함하는 전자 소자

2010-0055108

2010.06.10

  <2009>

23

Non-Contact micro tip 구조를 이용한 AC-LED 소자 및 모듈 개발

2009-0098566

2009.10.16

22

Diffusion법을 이용한 self-assembled p-i-n nano-rod(wire) 접합 고효율 LED 소자 및 Solar cell 소자 개발

2009-0097834

2009.10.14

21

ZnO 물질기반의 single-layer step-edge junction을 이용한 LED 소자개발

2009-0067910

2009.07.24

20

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법

2009-0037123

2009.04.28

19

저항성 메모리 장치

2009-0022138

2009.03.16

18

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 이온 임플란테이션 산화물 박막 제조방법

10-2009-0004116

2009.01.19

17

비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 질소 도핑 산화물 박막 제조 방법

10-2009-0004117

2009.01.19

  <2008>

16

비휘발성 ReRAM 소자 및 이의 제조방법

10-2008-0011204

2008.02.04

  <2007>

15

탄소나노튜브를 이용한 발광 소자 및 그 제조방법

10-2007-0103807

2007.10.16

14

비휘발성 ReRAM 소자 및 이의 제조방법

10-2007-0012751

2007.02.07

  <2006>

13

ReRAM 소자 및 그 제조방법

10-2006-0054986

2006.06.19

12

고정밀 정전용량형 습도센서 제조방법

10-2006-0000699

2006.01.03

  <2005>

11

플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법

10-2005-0092063

2005.09.30

10

반도체 소자 및 그 제조방법

10-2005-0074263

2005.08.12

9

질화물계 비정질 연자성 박막, 자성소자 및 질화물계비정질 연자성 박막의 제조방법

10-2005-0060388

2005.07.05

8

ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법

10-2005-0059830

2005.07.04

  <2004>

7

금속 양자점 제조방법과 이를 이용한 비 휘활성 메모리 소자 제작방법

10-2004-0109708

2004.12.21

6

탄소나노튜브의 제조방법

10-2004-0006775

2004.02.02

  <2003>

5

탄소 나노튜브의 후처리방법 및 이를 이용한 탄소 나노튜브 제조방법

10-2003-0062983

2003.09.09

4

양자점 형성방법

10-2003-0027866

2003.04.30

  <2002>

3

반금속성 자성체 산화물 제조방법

10-2002-0059433

2002.09.30

2

고 정밀 정전용량형 습도센서 제조기술

10-2002-0055652

2002.09.13

  <2001>

1

플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 제조방법

10-2001-0060349

2001.09.28

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